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05.03.2025 15:21:24

Infineon erweitert strahlungstolerantes Leistungs-MOSFET-Portfolio für die Raumfahrt mit erstem P-Kanal-Baustein

München, 5. März 2025 – Infineon Technologies hat seine Produktfamilie von strahlungstoleranten Leistungs-MOSFETs für Low-Earth-Orbit (LEO)-Raumfahrtanwendungen um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET erweitert. Die neuen Bauteile sind Teil des wachsenden Portfolios von Infineon, das für „NewSpace“-Anwendungen der nächsten Generation entwickelt wird. Es handelt sich um kostenoptimierte, strahlungstolerante MOSFETs, die es Entwicklern ermöglichen, Designs mit kleineren und leichteren Bauteilen schneller auf den Markt zu bringen. Die MOSFETs erfüllen darüber hinaus die Anforderungen bezüglich Strahlungsfestigkeit für Missionen von zwei bis fünf Jahren.Weiter zum vollständigen Artikel bei Infineon Technologies AG

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